石墨烯生长炉
型号:KJ-T1200-S60K1-3Z
简要描述: 此款石墨烯生长炉CVD系统是专为生长石墨烯研制的石墨烯薄膜生长专用炉,也同样适用于要求升降温速度比较快的CVD实验,温区可独立程序控制,设备操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样……
详细介绍:
产品介绍:Nzp管式炉|箱式炉|气氛炉|真空炉|真空烧结炉|真空钎焊炉-郑州科佳电炉
KJ-T1200-S60K1-3Z这款设备是专为生长石墨烯研制的石墨烯薄膜生长专用炉,也同样适用于要求升降温速度比较快的CVD实验,温区可独立程序控制,设备操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处,使样品能得到一个快速的升温速度,同样也可将高温的管式炉直接推离样品处,使样品直接暴露在室温环境下,得到快速的降温速率。Nzp管式炉|箱式炉|气氛炉|真空炉|真空烧结炉|真空钎焊炉-郑州科佳电炉
Nzp管式炉|箱式炉|气氛炉|真空炉|真空烧结炉|真空钎焊炉-郑州科佳电炉
产品应用:Nzp管式炉|箱式炉|气氛炉|真空炉|真空烧结炉|真空钎焊炉-郑州科佳电炉
适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、二维材料生长、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。Nzp管式炉|箱式炉|气氛炉|真空炉|真空烧结炉|真空钎焊炉-郑州科佳电炉
Nzp管式炉|箱式炉|气氛炉|真空炉|真空烧结炉|真空钎焊炉-郑州科佳电炉
可选配置:该炉可配通讯接口和软件,可以直接通过电脑控制炉子的各个参数,并能从电脑上观察到炉子上PV和SV温度值和仪表的运行情况,炉子的实际升温曲线电脑会实时绘出,并能把每个时刻的温度数据保存起来,随时可以调出。
注意事项:
1、设备炉膛温度≥200℃时,禁止打开炉膛,避免受到伤害;
2、设备使用时,炉管内压力不得超过0.02MPa(绝对压力),以防止压力过大造成设备损坏;
3、当炉体温度高于1000℃时,炉管内不可处于真空状态,炉管内的气压需和大气压 相当,保持在常压状态;
4、在对样品加热时,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热,则需时刻关注压力表的示数,绝对压力表读数不要大于0.02MPa,必须立刻打开排气端阀门,以防意外发生(如炉 管破裂,法兰飞出等)。
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- 公司提供免费的设备操作培训和简单故障排除维修培训,可提供技术人员上门服务
- 每台炉子出厂前均经过严格的质量检测以及高温测试,为客户提供放心可靠的产品
- 公司产品获有欧盟CE质量认证
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